CS1200S Cluster-System
- Cluster-System mit Rechteckkatoden
- Schleusenkammer mit Magazin
- Transferkammer mit Roboter
- 2 Prozesskammern für Sputter-Ätzen, Heizen und RF/DC/MF-Sputtern
- Targetgröße 600 mm x 240 mm
- Substratabmessungen bis 300 mm x 150 mm
Anwendung
- Sputtern von Metalle, Halbmetallen und Metalloxiden für Einfachschichten und Schichtstapel, für thermoelektonische Bauelemente
- Bearbeitung von Wafer auf Carrier ≤ Ø230 mm, vertikale Substratlage und flexible Substrate, 3 x Ø 100 mm, 2 x Ø 100 mm oder 1 x (150 mm x 300 mm)
- Exzellente Schichtdickenhomogenität
- Hohe Produktivität, 18 Carrier je Charge
- Fertigung, reinraumkompatibel
Technologie
Substrat-Vorbehandlung
- HF-Sputter-Ätzen
- Heizung
Deposition
- DC-Puls- und DC/DC-Magnetron-Sputtern von Metallen und Halbmetallen
- HF-Magnetron-Sputtern von Halbmetallen und Metalloxiden
- Substratheizung bis 400 °C während der Beschichtung
- Startdruck ≤5x10-7 mbar
Anlage
Schleusenkammer
- Edelstahlkammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Maschinen-Magazin für 18 Carrier
Transferkammer
- Edelstahlkammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Vakuum-Roboter
- Ventile mit kreisrundem Querschnitt zwischen Transfer- und Prozesskammer
Prozesskammer 1
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- 5 Standard-Magnetron-Sputterquellen WSM600, mit DC- und HF-Spannungsversorgung
- Substratheizer
- Substratträger mit Antrieb für Substratrotation
- Schwenkbare Sputterquellenhalterung für leichten Targetwechsel
- Gasversorgungssystem
Prozesskammer 2
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- 1 Standard-Magnetron-Sputterquelle WSM600, DC/HF
- Inverser HF-Sputter-Ätzer ISE200
- Substratheizer
- Substratträger mit Antrieb für Substratrotation
- Schwenkbare Sputterquellenhalterung für leichten Targetwechsel
- Gasversorgungssystem
