CS320S Sputter-System für Metalle & TCO
- Cluster-System für optische Schichten
- Eingabe-/Ausgabeschleusenkammer, Transferkammer, 3 Prozesskammern
- Heizen, Sputtern
- Ø ≤ 230 mm
ANWENDUNG
- Cluster-System für optische Schichten
- Eingabe-/Ausgabe-Schleusenkammer, Transferkammer, 3 Prozesskammern;
Al- bzw. Edelstahlkammern; kohlenwasserstofffreie Hochvakuum-Pumpsysteme - Sputtern von Metallen und TCO; Heizen zur Vorbehandlung; Substrat-Face-up-Regime
- Carrier mit Ø ≤ 230 mm; F&E oder Fertigung, reinraumkompatibel
TechnoLOGIE
Substratvorbehandlung
- Substratheizung
Deposition
- DC-Magnetron-Sputtern im Substrate-face-up-Mode
- Startdruck ≤ 5 · 10-7 mbar
AUSRÜSTUNG
Schleusenkammer
- Al-Kammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Carrier-Magazin-Hubwerk
Transferkammer
- Al-Kammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Vakuum-Roboter
- Rechteckschieber zu den Prozesskammern
Vorbehandlungskammer
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Substratheizer
Metall-Sputter-Kammer
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Magnetron-Sputter-Quelle PPS-A250
- Schwenkbare Substratblende
- Gasversorgungssystem
ITO-Sputter-Kammer
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Magnetron-Sputter-Quelle PPS-A250
- Schwenkbare Substratblende
- Gasversorgungssystem
