CS400PS PECVD & Sputter-System für a-Si/µc-Si , TCO & Metalle
- Cluster-System für Solarzellen
- Eingabe-/Ausgabeschleusenkammer, Transferkammer, 7 Prozesskammern
- Heizen, PECVD, Sputtern
- 156 mm x 156 mm, Ø 220 mm
ANWENDUNG
- PECVD von a-Si:H/µc-Si:H und anderen Si-Legierungen, intrinsisch und dotiert, für Si-Dünnschicht-Solarzellen
- Sputtern von TCO
- Substratvorbehandlung
- Beschichtung von Substraten 156 mm x 156 mm oder Ø 220 mm, Substrat-Face-up-Regime
- F&E, reinraumkompatibel
Technologie
Substratvorbehandlung
- Substratheizung, Substrattemperaturen bis 300 °C
Deposition
- PECVD von a-Si:H/µc-Si:H und anderen Si-Legierungen (SiC, SiGe, SiOx, SiOxNx), P- und B-Dotierung, Inhomogenität der Schichtdicke ≤± 3 %, Substrat-Face-up-Regime
- Plasmachemische Reinigung der PECVD-Kammer mittels NF3
- DC-Magnetron-Sputtern von ZnO:Al, Schichtdickeninhomogenität ≤± 10 %, Transmission (450-800 nm) ≥ 80 %, Flächenwiderstand ≤ 20 Ω/□; Substrat-Face-up-Regime
- DC-Magnetron-Sputtern von Mo
ANLAGE
Ein- und Ausgabekammern
- Al-Kammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
Transferkammer
- Al-Kammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Vakuum-Roboter
- Rechteckschieber zu den Prozesskammern
PECVD-Kammer PC 1 bis 4
- Al-Kammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem und Feinvakuum-Prozesspumpsystem
- 4 HF/VHF-Parallelplatten-Elektrodensysteme, 13,56 MHz, mit Gasdusche; 1 ICP-System, 13,56 MHz, optional
- Substratelektrode mit Liftsystem zur Einstellung des Elektrodenabstandes
- Heizer für Sunbstrattemperaturen bis 400 oC
- 13-Kanal-Gasversorgung
- RGA, HF-Messsystem
Sputter-Kammer PC 6 und 7
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Magnetron-Sputter-Quelle PPS-AR250 mit rotierendem Magnetsystem
- Schwenkbare Substratblende für Sputter-Quelle
- Substratträger elektrisch isoliert
- Heizer für Substrattemperaturen bis 600 oC
- 3-Kanal-Gasversorgungssystem
- Startdruck ≤ 1 × 10-7 mbar
