Schlüsselkomponenten
Angebote für unsere F&E+Pilotsysteme und zur Nachrüstung von vorhandenen Systemen, die von uns geliefert wurden.
PECVD/CVD/ALD/Plasmapolymerisation
Planparallele Diode, rund
FP PEC 200 … 360
Schichtmaterial: a-Si:H, µc-Si:H, SiOx:H, SiNx:H, SiC:H, Polymere, TiOx ...
Schichtdickentoleranz: ± (3 ... 5 %)
Anregung: Kapazitiv, HF und VHF
Frequenz: 13,56 ... 100 MHz
| Ausführung/Einsatzbereich: |
|
Planparallele Diode, rechteckförmig
FP PER 400 ... 600
Schichtmaterial: a-Si:H, µc-Si:H, SiOx:H, SiNx:H, SiC:H, Polymere
Schichtdickentoleranz: ± (4 ... 7 %)
Anregung: Kapazitiv, HF und VHF
Frequenz: 13,56 ... 60 MHz
| Ausführung/Einsatzbereich: |
|
ICP-System, rund
CR-RS400
Schichtmaterial: a-Si:H, µc-Si:H, SiOx:H, SiNx:H, SiC:H
Schichtdickentoleranz: ≤ ± 2,5 % (für Ø 150 mm)
Anregung: Induktive, HF
Frequenz: 13,56 MHz
| Ausführung/Einsatzbereich: |
|
ECR Quelle, rund
RR 250 Q
Schichtmaterial: DLC
Schichtdickentoleranz:
Anregung: Mikrowelle (ECR)
Frequenz: 2.4600 MHz
| Ausführung/Einsatzbereich: |
|
VHF-Linearelektrode, rechteckförmig
FP LE 300, FP LE 300D
Schichtmaterial: a-Si:H, µc-Si:H, SiC:H, dynamisch
Schichtdickentoleranz: ± (3 ... 5 %)
Anregung: Kapazitiv, VHF
Frequenz: 40 ... 80 MHz
| Ausführung/Einsatzbereich: |
|
VHF-Linearelektrode, rechteckförmig
FP LE 750HT
Schichtmaterial: SiN:H, dynamisch
Schichtdickentoleranz: ± (3 ... 5%)
Anregung: Kapazitiv, VHF
Frequenz: 40 ... 80 MHz
| Ausführung/Einsatzbereich: |
|
Hot-wire-System
FP HW 250
Schichtmaterial: a-Si:H, µc-Si:H, SiC:H, DLC
Schichtdickentoleranz:
Anregung: Katalytisch
Frequenz:
| Ausführung/Einsatzbereich: |
|
