Schlüsselkomponenten

Angebote für unsere F&E+Pilotsysteme und zur Nachrüstung von vorhandenen Systemen, die von uns geliefert wurden.

Übersicht

Vertikal Inline

Horizontal Inline

Prozesskontrolle

Plasmaemissionsmonitor
PEM^®05
Anwendung: Prozesskontrolle für reaktives Magnetron-Sputtern; ITO, TiO_2, TiN, Al₂O₃, AlN, SnO₂, SiO₂, Si₃N₄, ZnO, ZrO, Ta₂O₅ …

Merkmale:

185 … 650 (900 optional) nm; Reaktionszeit ≤ 1 ms
Umgebungstemperatur ≤ 350 ^oC; DN 25 ISO-KF
Leckrate der Durchführung < 1·10^-8 mbar·l·s^-1
Leistungsfähiger Prozessor mit eigener Firmware

Prozesskontrollsystem
VAprocos
Anwendung: Mess- und Kontrollsystem zur Stabilisierung von reaktiven Magnetron-Sputter-Prozessen; ITO, Nb₂O₅, SiO₂, ZnO:Al …

Merkmale:

Lieferbar mit konfigurierbaren Messeinrichtungen zur Definition des Prozessstatus: Plasmaintensität, Sauerstoffpartikeldruck oder MF-/DF- Katoden-Spannung
bis zu 8 peripherer Analog/Digital-Module

Röntgenfluoreszenz-Analysesystem
XRF 940 M
Anwendung: Schichtdicke und Schichtzusammensetzung bei Bedampfung und Sputtern

Merkmale:

In-situ-Messsystem für Inline-Anlagen
max. Substrattemperatur 500 °C
Messkopf mit Steuer- und Verarbeitungssystem
automatische Selbstjustage; optischer Abstandssensor

Faraday-Käfig
CR-CEA4
Anwendung: Ionenstrom- und Ionenenergie-Analyse

Merkmale:

Arbeitsdruck ≤ 1 × 10^-2 mbar
Ionenstromdichte = 0,01 … 10 mA/cm²
Ionenenergie ≤ 300 eV