Vertikale Inline-Systeme

VISS300S Sputter-System (2) für TCO & Metalle

• Inline-System für transparente leitfähige Oxide (TCO) und Metalle
• 2 Schleusenkammern, 2 Prozesskammern (rechts), Dual-Rotatable-Sputter-Quelle (links)
• Vorbehandlung durch Sputter-Ätzen, Sputtern
• 300 mm x 300 mm

Anwendung  

• Sputtern von Ag und ZnO:Al als TCO für a-Si:H Dünnschicht-Solarzellen mittels Ag, ZnAl- oder ZnO:Al₂O₃-Targets
• Hochproduktive Beschichtung von Glassubstraten auf Carrier; Substratabmessungen 300 mm x 300 mm, bis zu 5 mm dick, 7^°-Carrier-Neigung
• F&E, Pilotfertigung 

Technologie

Substrat-Vorbehandlung

• HF-Sputter-Ätzen mittels Ionenquelle 

Deposition

• HF/DC-Magnetron-Sputtern und Bipolar-LF-Sputtern mittels Doppelrohr-Magnetron-Sputter-Quelle, Prozessführung mit Plasmaemissionsmonitor; Metall- und Metalloxid-Targets
• Dynamische Abscheiderate 8.25 (nm·m)/(min·kW), spezifischer Widerstand ≥ 3.8·10^-4 Ω·cm (Rohr-Target-Sputtern ZnO: Al₂O₃)
• Startdruck ≤ 5 ⋅10^-7 mbar

Anlage   

Schleusenkammern

• Edelstahlkammer  
• Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem

Sputter-Kammer

• Edelstahlkammer mit 3 Prozess-Stationen, Heizer und Overrun-Sektion  
• Rechteck-Magnetron-Sputter-Quelle SDM750, SSM750RF, SSM750DC; Plasmaemissionsmonitor PEM^® 05
  

Rohrmagnetron-Sputter- und Vorbehandlungskammer

• Doppelrohrmagnetron-Sputter-Quelle RDM750 mit Blendensystem, leicht zugänglich zur Wartung   
• Linear-Ionenquelle LION420
• Plasmaemissionsmonitor PEM^_®05, Sauerstoffsensor
• Edelstahl-Kammer mit Prozess-Stationen und Overrun-Sektion 
• Substratheizer
• Gasversorgungssystem
• Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem