VISS300S Sputter-System (2) für TCO Und Metalle
- Inline-System für transparente leitfähige Oxide (TCO) und Metalle
- 2 Schleusenkammern, 2 Prozesskammern, Dual-Rotatable-Sputter-Quelle
- Vorbehandlung durch Sputter-Ätzen, Sputtern
- 300 mm x 300 mm
Anwendung
- Sputtern von Ag und ZnO:Al als TCO für a-Si:H-Dünnschicht-Solarzellen mittels Ag-, ZnAl- oder ZnO:Al2O3-Targets
- Hochproduktive Beschichtung von Glassubstraten auf Carrier
- Substratabmessungen 300 mm x 300 mm, bis zu 5 mm dick, 7°-Carrier-Neigung
- F&E, Pilotfertigung
Technologie
Substrat-Vorbehandlung
- HF-Sputter-Ätzen mittels Ionenquelle
Deposition
- HF/DC-Magnetron-Sputtern und Bipolar-LF-Sputtern mittels Doppelrohr-Magnetron-Sputter-Quelle
- Prozessführung mit Plasmaemissionsmonitor; Metall- und Metalloxid-Targets
- Dynamische Abscheiderate 8,25 (nm·m)/(min·kW), spezifischer Widerstand ≥ 3,8·10-4 Ω·cm (Rohr-Target-Sputtern ZnO: Al2O3)
- Startdruck ≤ 5 ⋅10-7 mbar
AUSRÜSTUNG
Schleusenkammern
- Edelstahlkammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
Sputter-Kammer
- Edelstahlkammer mit 3 Prozess-Stationen, Heizer und Overrun-Sektion
- Rechteck-Magnetron-Sputter-Quelle SDM750, SSM750RF, SSM750DC; Plasmaemissionsmonitor PEM® 05
Rohrmagnetron-Sputter- und Vorbehandlungskammer
- Doppelrohrmagnetron-Sputter-Quelle RDM750 mit Blendensystem, leicht zugänglich zur Wartung
- Linear-Ionenquelle LION420
- Plasmaemissionsmonitor PEM®05, Sauerstoffsensor
- Edelstahl-Kammer mit Prozess-Stationen und Overrun-Sektion
- Substratheizer
- Gasversorgungssystem
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
