VISS400P PECVD-System für a-Si/µc-Si
- Single-Carrier Inline-System zur Abscheidung von Absorberschichten für Dünnschicht-Solarzellen
- Schleusenkammer, 3 Prozesskammern
- stationäre und kontinuierliche PECVD
- maximale Substratgröße 400 mm x 400 mm
Anwendung
- PECVD von a-Si:H/µc-Si:H; stationäres und dynamisches Beschichtungsregime
- Beschichtung von Glassubstraten auf Carrier, bis zu 5 mm dick, 7° Carrierneigung
- F&E, Pilotfertigung
Technologie
Substrat-Vorbehandlung
- HF-Sputter-Ätzen
- Substrat-Rückseitenheizung
Deposition
- HF- und VHF-PECVD von intrinsischem und dotiertem a-Si:H/µc-Si:H
- Substratheizung bis 200 oC
Anlage
Schleusenkammer
- Edelstahlkammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
Kammer zur dynamischen PECVD
- Edelstahlkammer mit Heizer und Overrun-Sektion
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem und Wälzkolben-Prozesspumpsystem
- VHF-Tandem-Linear-Elektrodensystem VDL650 mit Linear-Gasdusche
Kammer zur stationären PECVD
- Edelstahlkammer mit Heizer und Overrun-Sektion
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- HF-Elektrodensystem mit Gasdusche und einstellbarem Elektrodenabstand
- 11-Kanal-Gasversorgungssystem, umschaltbar auf die 2 PECVD-Kammern
