CS400PS PECVD & PVD System für a-Si/µc-Si & Si-Legierungen
- Cluster-System für Silizium-Solarzellen
- Eingabe-/Ausgabeschleusenkammer, Transferkammer, 5 Prozesskammern
- Heizen, PECVD, Sputtern, Bedampfen
- 100 mm x 100 mm / Ø 6"
ANWENDUNG
- PECVD, Sputtern und Bedampfen von a-Si:H/µc-Si:H und anderen Si-Legierungen, für Si-Dünnschicht-Solarzellen
- Substratvorbehandlung
- Nachbehandlung durch Plasma-Wasserstoff-Passivierung
- Bearbeitung von Substraten auf Carrier, Substratabmessung 100 x 100 mm / Ø 6”, bis 5 mm dick, Substrat-Face-down- und -Face-up-Regime
- F&E
TechnologIE
Substratvorbehandlung
- Heizung bis 300 oC
Substratnachbehandlung
- Plasma-Wasserstoff-Passivierung, Substrat-Face-up-Regime
- Temperung bei Temperaturen bis 650 °C, Heiz- und Abkühlungsgeschwindigkeiten bis 50 K/min
Deposition
- PECVD von a-SiGe:H, SiC und SiOxNy, P- und B-Dotierung, Inhomogenität der Schichtdicke und Leitfähigkeit ≤± 5 %; Substrat-Face-up-Regime; plasmachemische Reaktorreinigung
- Unipolar-HF- und reaktives DC/Puls-DC-Magnetron-Sputtern von Si-Legierungen; Substrat-Face-up-Regime
- Elektronenstrahlbedampfen von Si, Substrat-Face-down-Regime
- Effusionsverdampfung von Dotanten
- Substratheizung während der Beschichtung bis 650 oC
- Substratträger elektrisch isoliert, geerdet oder mit Vorspannung
AUSRÜSTUNG
Ein- und Ausgabekammern
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Kundenspezifische Transferbox optional
Transferkammer
- Al-Kammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Vakuum-Roboter
- Rechteckschieber zu den Prozesskammern
- Separate Vorbehandlungsstation mit Strahlungsheizer
- Carrier-Flip-Station
PECVD-Kammer 1 und 2
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- VHF-Elektrodensystem 60 MHz
- Substratelektrode mit Liftsystem zur Einstellung des Elektrodenabstandes
- Heizer für Substrattemperaturen bis 650 °C
- Blende für Plasmaeinlaufvorgang
- 13-Kanal-Gasversorgung
Sputter-Kammer
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Magnetron-Sputter-Quelle PPS-A250; mit HF- und Puls-Gleichspannungsversorgung
- Heizer für Substrattemperaturen bis 650 °C
- Schwenkbare Blende für Sputter-Quelle
- Substratträger mit HF- Vorspannung
- 4-Kanal-Gasversorgung
Elektronenstrahl-Bedampfungskammer
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Elektronenstrahlverdampfer, ≥ 1000 nm/min für Si, mit Schlot, Mantel und Blende
- 1 Hochtemperatur-Effusionsverdampfer mit Blende, 3 Verdampferreserveflansche
- Schwenkbare Substratblende für Einlaufvorgang
- 2-Kanal-Versorgung
- Schwingquarz-Ratemonitor und RGA
- Substratheizer
Plasma-Wasserstoff-Passivierungskammer
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Hohlkatodensystem, 13.56 MHz
- Heizer für Substrattemperaturen von 100 bis 650 oC
- 4-Kanal-Gasversorgung
- Substratelektrode mit Liftsystem und 50-kHz-Versorgung
